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(Maj chapitre F 2020)
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Elle est assurée, soit par la sélectivité, soit par la sélection des circuits, ou par l'une et l'autre.
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La sélectivité est réalisée soit par temporisation, soit par subdivision de circuits, qui sont ensuite protégés individuellement ou par groupes, soit par une combinaison des deux méthodes.


La sélection consiste à subdiviser les circuits et à les protéger individuellement ou par groupes.
Une telle sélectivité évite le déclenchement de tout DDR autre que celui situé immédiatement en amont de la position du défaut :
* avec l'équipement actuellement disponible, la sélectivité est possible à trois ou quatre niveaux de distribution différents :
** au niveau du tableau de distribution général principal,
** au niveau des tableaux de distribution généraux locaux,
** au niveau des tableaux divisionnaires,
** au niveau des prises de courant pour la protection individuelle des appareils,
* c'est en général, au niveau du tableau terminal, que sont placés les dispositifs de coupure automatique pour assurer la protection contre les contacts indirects et la protection complémentaire contre les contacts directs.


La sélectivité évite le déclenchement du dispositif amont lorsque le défaut est éliminé par le dispositif aval sollicité.
== Sélectivité entre les DDR ==
* La sélectivité peut être à trois niveaux, ou même quatre, lorsque l'installation comporte un tableau général Basse Tension, des tableaux secondaires et des tableaux terminaux.
La spécification générale permettant d’atteindre une sélectivité totale entre deux DDR nécessite les deux conditions suivantes :
* C’est en général, au niveau du tableau terminal, que sont placés les dispositifs de coupure automatique pour assurer la protection contre les contacts indirects et la protection complémentaire contre les contacts directs.
* le rapport entre les courants de fonctionnement résiduels assignés doit être > 3,
* retard de la temporisation du DDR amont.


== Sélectivité des DDR entre-eux ==
La sélectivité est obtenue en exploitant les différents niveaux de sensibilité standardisée : 30 mA, 100 mA, 300 mA et 1 A et les temps de déclenchement correspondants, comme indiqué dans la {{FigRef|F61}}.
Les règles de sélectivité pour réaliser une sélectivité totale entre 2 DDR imposent les 2 conditions suivantes :
* condition de déclenchement : la sensibilité du DDR situé en amont doit être au moins 2 fois celle du DDR situé en aval. D’un point de vue pratique, cette condition s’obtient par l’étagement des valeurs normalisées (normes produits CEI 60755, CEI 60009, CEI 60747-2 annexe B et annexe M) : 30 mA, 100 mA, 1 A, …, 30 A,
* condition de temporisation : la temporisation de déclenchement du DDR situé en amont doit être supérieure au temps total de coupure du DDR aval.  


D’un point de vue pratique, cette condition est obtenue lorsque le DDR et l’organe de coupure associé vérifient les courbes de non déclenchement et de déclenchement de la '''Figure F31'''.
{{FigImage|DB422244_FR|svg|F61|Sélectivité totale à 3 niveaux.}}


'''Note ''': il est impératif de vérifier que le temps de coupure du DDR situé en amont est inférieur au temps maximal de coupure spécifié.
== Sélectivité à 2 niveaux ==
(voir {{FigRef|F62}})


{{FigImage|DB422244_FR|svg|F31|DDR sélectifs entre-eux}}
=== Protection ===
* Niveau 1 : DDR avec réglage de la temporisation au cran I (pour appareil industriel) ou type S (pour appareil domestique) .
* Niveau 2 : DDR instantané, avec une sensibilité élevée sur les circuits d'alimentation des prises ou des appareils à haut risque (machines à laver, etc.). Voir aussi chapitre [[La norme NF C 15-100 fonction par fonction]].


== Sélectivité totale à 2 niveaux ==
{{FigImage|DB422245_FR|svg|F62|Sélectivité totale à 2 niveau.}}
(cf. '''Fig. F32''')
 
=== Solutions Schneider Electric ===
* Niveau 1 : disjoncteur ComPact NSX Vigi intégré ou Acti 9 avec bloc Vigi adaptable , réglage type I ou S.
* Niveau 2 : disjoncteur avec bloc Vigi intégré (iDT40 Vigi) ou bloc Vigi adaptable (par exemple Vigi iC60).
 
'''Remarque :''' le réglage de la protection différentielle en amont doit être conforme aux règles de sélectivité et prendre en compte tous les courants de fuite à la terre en aval.
 
== Sélectivité à 3 ou 4 niveaux ==
(see {{FigRef|F63}})


=== Protection ===
=== Protection ===
* En '''A''' : DDR-MS retardé (cran I) ou de type S pour la protection contre les contacts indirects.
* Niveau 1 : DDR temporisé (réglage III).
* En '''B''' : DDR-HS sur les circuits pour socles de prises de courants ou les circuits pour les récepteurs à risque.
* Niveau 2 : DDR temporisé (réglage II).
* Niveau 3 : DDR temporisé (réglage I) ou type S.
* Niveau 4 : DDR instantané.


=== Solutions Schneider Electric ===
{{FigImage|DB422246_FR|svg|F63| Sélectivité totale à 3 ou 4 niveaux.}}
*En '''A''' : disjoncteur différentiel adaptable Vigicompact ou Acti 9, cran I ou type S.
 
*En '''B ''': disjoncteur différentiel intégré Acti 9 ou adaptable (ex : Vigi iC60 ou Vigi C120) ou Vigicompact.
== Solutions Schneider Electric ==
* Niveau 1 : disjoncteur associé à un relais différentiel et tore séparé (Vigirex RH).
* Niveau 2 : NSX Vigi intégré ou Vigirex.
* Niveau 3 : Vigirex, NSX Vigi intégré ou Vigi iC60.
* Niveau 4 :
** NSX Vigi intégré, ou,
** Vigirex, ou,
** Acti 9 avec bloc Vigi intégré ou adaptable : Vigi iC60 ou iDT40 Vigi.


'''Nota ''': le réglage du DDR amont doit intégrer les règles de sélectivité et tenir compte de tous les courants de fuite en aval.
'''Remarque :''' le réglage de la protection différentielle amont doit être conforme aux règles de sélectivité et prendre en compte tous les courants de fuite à la terre en aval.


{{FigImage|DB422245_FR|svg|F32|Sélectivité totale à 2 niveaux}}
=== Cas particulier de coordination avec les DDR de type B ===
En présence d'un courant de fuite à la terre possible en courant continu, un DDR de type B doit être utilisé pour la protection contre les chocs électriques. Dans ce cas, le DDR en amont ne doit pas être aveuglé par le courant résiduel CC possible et doit assurer sa protection normale lorsqu'un courant de défaut résiduel se produit dans une autre partie des circuits.


=== Sélectivité totale à 3 ou 4 niveaux ===
Par exemple, dans le circuit de {{FigRef|F64}}, le DDR 30 mA de type B au niveau 2 peut avoir un seuil de déclenchement CC maximum de 2 x Ι<sub>Δn</sub>, selon la norme produit DDR CEI 62423. Cela signifie que ce DDR de 30 mA de type B pourrait laisser passer un courant résiduel de presque 60 mA en CC sans déclenchement et que le DDR en amont ne devrait perdre aucune de ses performances avec la présence de ce niveau élevé de courant résiduel CC. C’est pourquoi il est souvent proposé d’utiliser un DDR de type B au niveau 1 pour éviter tout effet d'aveuglement par le courant continu, comme le montre la {{FigRef|F64}}.
(cf. '''Fig. F33''')


=== Protection ===
{{FigImage|DB431019_FR|svg|F64|Coordination entre les DDR de type B.}}
*En '''A''' : DDR-MS retardé (cran III).
*En '''B ''': DDR-MS retardé (cran II).
*En '''C ''': DDR-MS retardé (cran I) ou de type S.
*En '''D''' : DDR-HS instantané.


=== Solutions Schneider Electric ===
=== Cependant, Schneider Electric propose une autre possibilité ===  
*En '''A''' : DDR à tore séparé.
*En '''B ''': Vigicompact NSX ou Vigirex.
*En '''C''' : Vigirex, Vigicompact NSX ou Vigi iC60.
*En '''D''' :
** Vigicompact NSX ou,
** Vigirex ou,
** Acti 9 avec module integré ou différentiel adaptable: Vigi iC60 ou DT40 Vigi.


'''Nota''' : le réglage de chaque DDR amont doit intégrer les règles de sélectivité et tenir compte de tous les courants de fuite en aval.
Certains DDR de type A de Schneider Electric sont qualifiés pour ne pas être sensibles au courant résiduel CC en dessous de 60 mA. Comme le montre la figure {{FigRef|F65}}, ils peuvent être utilisés en amont d'un DDR de 30 mA de type B sans risque d'aveuglement. Ses comportements de protection de type AC et A sont garantis même en présence d'un courant résiduel continu lisse de 60 mA.


{{FigImage|DB422246_FR|svg|F33|Sélectivité totale à 4 niveaux}}
Ces DDR de haute sécurité de type A concernent :
* Acti 9 iID et Vigi 300 mA, 500 mA,
* Vigi NG 125 300 mA, 500 mA, 1 A,
* Vigi C120 300 mA, 500 mA, 1 A,
* ComPact NSXm, NSX 300 mA et supérieur.


== Sélectivité différentielle verticale ==
{{FigImage|DB431020_FR|svg|F65|Coordination entre les DDR de types A et B.}}
(cf. '''Fig. F34''')


{{FigImage|DB422247_FR|svg|F34|Exemple classique de réalisation d'une installation à 3 niveaux de sélectivité illustrant la protection des circuits de distribution, des circuits terminaux en schéma TT. Le moteur est pourvu de ses protections spécifiques.}}
Exemple d'installation avec sélectivité à 2 ou 3 niveaux ({{FigRef|F66}})


[[en:TT_system_-_Coordination_of_residual_current_protective_devices]]
{{FigImage|DB422247_FR|svg|F66|Exemple d'installation avec sélectivité à 2 ou 3 niveaux.}}

Version du 5 octobre 2020 à 16:57

La sélectivité est réalisée soit par temporisation, soit par subdivision de circuits, qui sont ensuite protégés individuellement ou par groupes, soit par une combinaison des deux méthodes.

Une telle sélectivité évite le déclenchement de tout DDR autre que celui situé immédiatement en amont de la position du défaut :

  • avec l'équipement actuellement disponible, la sélectivité est possible à trois ou quatre niveaux de distribution différents :
    • au niveau du tableau de distribution général principal,
    • au niveau des tableaux de distribution généraux locaux,
    • au niveau des tableaux divisionnaires,
    • au niveau des prises de courant pour la protection individuelle des appareils,
  • c'est en général, au niveau du tableau terminal, que sont placés les dispositifs de coupure automatique pour assurer la protection contre les contacts indirects et la protection complémentaire contre les contacts directs.

Sélectivité entre les DDR

La spécification générale permettant d’atteindre une sélectivité totale entre deux DDR nécessite les deux conditions suivantes :

  • le rapport entre les courants de fonctionnement résiduels assignés doit être > 3,
  • retard de la temporisation du DDR amont.

La sélectivité est obtenue en exploitant les différents niveaux de sensibilité standardisée : 30 mA, 100 mA, 300 mA et 1 A et les temps de déclenchement correspondants, comme indiqué dans la Fig. F61.

Fig. F61 – Sélectivité totale à 3 niveaux.

Sélectivité à 2 niveaux

(voir Fig. F62)

Protection

  • Niveau 1 : DDR avec réglage de la temporisation au cran I (pour appareil industriel) ou type S (pour appareil domestique) .
  • Niveau 2 : DDR instantané, avec une sensibilité élevée sur les circuits d'alimentation des prises ou des appareils à haut risque (machines à laver, etc.). Voir aussi chapitre La norme NF C 15-100 fonction par fonction.
Fig. F62 – Sélectivité totale à 2 niveau.

Solutions Schneider Electric

  • Niveau 1 : disjoncteur ComPact NSX Vigi intégré ou Acti 9 avec bloc Vigi adaptable , réglage type I ou S.
  • Niveau 2 : disjoncteur avec bloc Vigi intégré (iDT40 Vigi) ou bloc Vigi adaptable (par exemple Vigi iC60).

Remarque : le réglage de la protection différentielle en amont doit être conforme aux règles de sélectivité et prendre en compte tous les courants de fuite à la terre en aval.

Sélectivité à 3 ou 4 niveaux

(see Fig. F63)

Protection

  • Niveau 1 : DDR temporisé (réglage III).
  • Niveau 2 : DDR temporisé (réglage II).
  • Niveau 3 : DDR temporisé (réglage I) ou type S.
  • Niveau 4 : DDR instantané.
Fig. F63 –  Sélectivité totale à 3 ou 4 niveaux.

Solutions Schneider Electric

  • Niveau 1 : disjoncteur associé à un relais différentiel et tore séparé (Vigirex RH).
  • Niveau 2 : NSX Vigi intégré ou Vigirex.
  • Niveau 3 : Vigirex, NSX Vigi intégré ou Vigi iC60.
  • Niveau 4 :
    • NSX Vigi intégré, ou,
    • Vigirex, ou,
    • Acti 9 avec bloc Vigi intégré ou adaptable : Vigi iC60 ou iDT40 Vigi.

Remarque : le réglage de la protection différentielle amont doit être conforme aux règles de sélectivité et prendre en compte tous les courants de fuite à la terre en aval.

Cas particulier de coordination avec les DDR de type B

En présence d'un courant de fuite à la terre possible en courant continu, un DDR de type B doit être utilisé pour la protection contre les chocs électriques. Dans ce cas, le DDR en amont ne doit pas être aveuglé par le courant résiduel CC possible et doit assurer sa protection normale lorsqu'un courant de défaut résiduel se produit dans une autre partie des circuits.

Par exemple, dans le circuit de Fig. F64, le DDR 30 mA de type B au niveau 2 peut avoir un seuil de déclenchement CC maximum de 2 x ΙΔn, selon la norme produit DDR CEI 62423. Cela signifie que ce DDR de 30 mA de type B pourrait laisser passer un courant résiduel de presque 60 mA en CC sans déclenchement et que le DDR en amont ne devrait perdre aucune de ses performances avec la présence de ce niveau élevé de courant résiduel CC. C’est pourquoi il est souvent proposé d’utiliser un DDR de type B au niveau 1 pour éviter tout effet d'aveuglement par le courant continu, comme le montre la Fig. F64.

Fig. F64 – Coordination entre les DDR de type B.

Cependant, Schneider Electric propose une autre possibilité

Certains DDR de type A de Schneider Electric sont qualifiés pour ne pas être sensibles au courant résiduel CC en dessous de 60 mA. Comme le montre la figure Fig. F65, ils peuvent être utilisés en amont d'un DDR de 30 mA de type B sans risque d'aveuglement. Ses comportements de protection de type AC et A sont garantis même en présence d'un courant résiduel continu lisse de 60 mA.

Ces DDR de haute sécurité de type A concernent :

  • Acti 9 iID et Vigi 300 mA, 500 mA,
  • Vigi NG 125 300 mA, 500 mA, 1 A,
  • Vigi C120 300 mA, 500 mA, 1 A,
  • ComPact NSXm, NSX 300 mA et supérieur.
Fig. F65 – Coordination entre les DDR de types A et B.

Exemple d'installation avec sélectivité à 2 ou 3 niveaux (Fig. F66)

Fig. F66 – Exemple d'installation avec sélectivité à 2 ou 3 niveaux.
Les contenus spécifiques aux normes et réglementations françaises sont mis en évidence comme montré sur ce texte
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